LED芯片 16 種襯底

、外延及芯片結(jié)構(gòu)分析

，其缺陷密度最少僅為1×104/cm2。計(jì)劃目標(biāo)，在1mm2芯片發(fā)光亮度可達(dá)1000lm光通量。

　　（4）非極性

、半極性GaN襯底產(chǎn)業(yè)化

　　住友公司宣布已開發(fā)半極性、非極性GaN襯底材料

，可提供制作白光LED的半極性、非極性襯底。

　　（5）紫外LED采用非極性襯底

　　首爾半導(dǎo)體采用非極性GaN襯底開發(fā)紫外LED并與R

、G、B熒光粉組合可實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)的白光照明和色彩表現(xiàn)范圍大的背光源。

　　小結(jié)：采用半極性

、非極性藍(lán)寶石和GaN襯底生長LED的核心技術(shù)，已取得突破性進(jìn)展，有可能在1mm2芯片上實(shí)現(xiàn)1000lm光通量，采用單芯片作為一盞LED燈的光源成為可能。

　　4、芯片新結(jié)構(gòu)

　　LED核心技術(shù)，還有LED芯片結(jié)構(gòu)新技術(shù)

。芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要是考慮如何提高外量子效率，即芯片的光萃取效率，提高芯片散熱性能以及在降低成本上進(jìn)行采用新結(jié)構(gòu)新工藝。芯片有很多種新結(jié)構(gòu)。

　　（1）六面體發(fā)光芯片

　　六面體發(fā)光芯片指芯片的六個(gè)面全部出光，采用多面表面粗化技術(shù)

，減少界面對(duì)光子的反射，提高光萃取率。

　　（2）DA芯片結(jié)構(gòu)

　 　Cree公司利用SiC襯底優(yōu)勢

，已推出的DA系列產(chǎn)品，采用SiC透明襯底作為發(fā)光面，在SiC襯底上制作3D結(jié)構(gòu)，即在SiC基板的外側(cè)設(shè)置V字形 溝槽，從V字溝槽一側(cè)發(fā)光，以增強(qiáng)高折射率SiC襯底的光萃取效果，而且是大電流倒裝芯片，發(fā)光層一側(cè)與封裝接合，獲得高質(zhì)量的散熱性